晶体管类型： PNP

集射极击穿电压(Vceo)： 30V

集电极电流(Ic)： 3A

功率(Pd)： 500mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@2A,200mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce) -

特征频率(fT)： 80MHz

工作温度： +150℃@(Tj)